DDR4 | Chipsmall

DDR4Results: 53

తయారీదారు

Hynix

SAMSUNG

ఫలితాలు మిగిలి ఉన్నాయి: 119

ఉత్పత్తి	ఇన్వెంటరీ	యూనిట్ ధర
K4A8G085WC-BCRC SAMSUNG 8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production	5226 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4AAG165WB-MCTD SAMSUNG 16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production	3206 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4ABG085WA-MCTD SAMSUNG 32 Gb 4G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production	4357 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4AAG085WA-BCWE SAMSUNG 16 Gb 2G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample	5739 (అందుబాటులో ఉంది)	1+25.16800 10+18.87600 30+16.35920 మరిన్ని ధర
K4A8G045WB-BCTD SAMSUNG 8 Gb 2G x 4 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production	4300 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4A8G165WC-BIWE SAMSUNG 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production	3644 (అందుబాటులో ఉంది)	1+4.95720 10+4.46148 30+3.47004 మరిన్ని ధర
K4A8G045WC-BCPB SAMSUNG 8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production	5379 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4A4G165WE-BCWE SAMSUNG 4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production	3060 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4A4G085WE-BITD SAMSUNG 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production	4304 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు
K4A8G165WB-BIWE SAMSUNG 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production	4207 (అందుబాటులో ఉంది)	దర్యాప్తు చేయు

ఫీడ్ బ్యాక్

Chipsmall యొక్క ఉత్పత్తులు మరియు సేవలతో మీ నిమగ్నతను మేము అభినందిస్తున్నాము. మీ అభిప్రాయం మాకు ముఖ్యం! దయచేసి ఈ క్రింది ఫారాన్ని పూర్తి చేయడానికి కొంత సమయం తీసుకోండి. మీ విలువైన ఫీడ్ బ్యాక్ మీకు అర్హమైన అసాధారణ సేవను మేము స్థిరంగా అందిస్తామని నిర్ధారిస్తుంది. శ్రేష్ఠత దిశగా మా ప్రయాణంలో భాగమైనందుకు ధన్యవాదాలు.